特点及优势：
极低粗糙度——抑制趋肤效应，降低5G高频信号损耗
特殊纳米瘤化——纳米锚定效应提供良好的抗剥离强度
晶格细致——等轴晶均匀排布，支持超细线路蚀刻
极低粗糙度——抑制趋肤效应，降低5G高频信号损耗
特殊纳米瘤化——纳米锚定效应提供良好的抗剥离强度
晶格细致——等轴晶均匀排布，支持超细线路蚀刻
| 特性项目 | 单位 | 要求 | 测试方法 | |||
| 规格厚度 | μm | 12 | 18 | 35 | IPC-4562A | |
| 表面 粗糙度 |
光面/Ra | μm | ≤0.43 | IPC-TM-650 2.3.17 | ||
| 毛面/Rz | 0.8-1.0 | |||||
| 剥离强度 | FR-4Tg140 | N/mm | ≥0.60 | ≥0.80 | ≥0.90 | IPC-TM-650 2.4.8 |
| 高速基材 | N/mm | ≥0.45 | ≥0.53 | ≥0.60 | ||
