特点及优势：
低粗糙度——适用于内层的精细电路蚀刻及多层增层板
均匀铜瘤——微米级铜瘤处理，大小均匀，性能一致
低损应用——可用于Low Loss等级低损耗应用
低粗糙度——适用于内层的精细电路蚀刻及多层增层板
均匀铜瘤——微米级铜瘤处理，大小均匀，性能一致
低损应用——可用于Low Loss等级低损耗应用
TOZ RTF-HS2型铜箔 剥离强度测试（N/mm）
TOZ RTF-HS2型铜箔 铜瘤粒径分布
TOZ规格多种高速基材的剥离强度≥0.53N/mm
微米级瘤化处理 铜瘤大小和分布均匀
铜瘤大小和分布均匀 性能一致性好
价值：广泛兼容各类高速基材，进一步平衡成本 与性能，加速设计，优化成本。 高且稳定的结合力，确保在严苛工艺与环 境下层间可靠，保障服务器、5G设备等长 期稳定运行。 优异的界面结合力减少了高速信号传输 中的微观缺陷风险，可用于高速电路
| 特性项目 | 单位 | 要求 | 测试方法 | ||||
| 规格厚度 | μm | 12 | 15 | 18 | 35 | IPC-4562A | |
| 单位面积质量 | g/m² | 108±3 | 128±4 | 151±5 | 285±10 | IPC-TM-6502.2.12.2 | |
| 表面 粗糙度 |
处理面Rz | μm | 2.0-2.5 | IPC-TM-6502.3.17 | |||
| 非处理面Rz | ≤5.0 | ≤5.0 | ≤6.0 | ≤8.0 | |||
| 剥离强度 FR-4 |
FR-4 Tg140 | N/mm | ≥0.90 | ≥0.95 | ≥1.00 | ≥1.20 | IPC-TM-6502.4.8 |
| 高速基材 | N/mm | ≥0.53 | ≥0.55 | ≥0.60 | ≥0.71 | ||
| 幅宽 | mm | 200-1340(+2,-0)或依客户需求 | |||||
